品牌/商标 | HIT日本日立 | 型号/规格 | J175 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | *(V) | 夹断电压 | *(V) |
跨导 | *(μS) | 极间电容 | *(pF) |
低频噪声系数 | *(dB) | 漏极电流 | *(mA) |
耗散功率 | *(mW) |
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品牌/商标 IR 型号/规格 IRF3710 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 64(A) 集电极耗散功率PCM *(W) 截止频率fT *(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
品牌/商标 富士 型号/规格 YG902C2 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 200(V) 集电极允许电流ICM 10(A) 集电极耗散功率PCM 三极管(W) 截止频率fT *(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装