KSF30A20二极管KSF30A20B
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | KSF30A20B |
| 产品类型 | 快恢复二极管 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 组合型 |
| 发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | 247（A） |
| 反向电压 | 1（V） |
KSF30A20二极管KSF30A20B
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KSF30A20二极管KSF30A20B
KSF30A20二极管KSF30A20B
- 所属城市：广东 汕头
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拆机场效应管IRF2807
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF2807 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
K2611，K2698，K2837拆机场效应管
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2611，K2698，K2837 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 11（mW） K2611，K2698，K2837拆机场效应管K2611，K2698，K2837拆机场效应管K2611，K2698，K2837拆机场效应管K2611，K2698，K2837拆机场效应管
