品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF710 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | C-MIC/电容话筒专用 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | SB肖特基势垒栅 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 100(V) |
跨导 | 100(μS) | 极间电容 | 100(pF) |
低频噪声系数 | 100(dB) | 漏极电流 | 100(mA) |
耗散功率 | 100(mW) |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK420 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 0.7(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2842 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 0.7(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)