品牌/商标 | 仙童,ST | 型号/规格 | 2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 2.5(V) | 夹断电压 | 600(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
1N60.2N60.3N60.4N60.5N60.6N60.7N60.8N60.10N60.11N60.20N60
1N50.2N50.3N50.4N50.5N50.6N50.8N50.11N50
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF1404S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) IRF1404S TO-263封装 IR品牌 40V162A0.004欧姆200W长期大量现货优势供应原装拆机及翻新场效应管,欢迎来人来电0754-84472126方先生查询订购。具体价格以当天报价为准dzsc/18/7455/18745554.jpgdzsc...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF5305S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 55(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) IRF5305S TO-263 IR品牌,P沟道功率管长期现货优势供应IR系列场效应管,欢迎来人来电0754-84472 方先生 咨询订购。具体价格以当天报价为准dzsc/18/7455/18745555.jpgdzsc/18/7455/18745555.jpg