优势供应 场效应管 贴片MOS管 APM9926
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | ANPEC茂达 | |
| 型号： | APM9926KC-TRL |
| 品牌/商标 | ANPEC茂达 | 型号/规格 | APM9926KC-TRL |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0.8（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 漏极电流 | 6000（mA） | 耗散功率 | 2000（mW） |
APM9926 SOP-8 3000PCS/盘
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管
VDS= 20V
RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率高电流
Ideal for Li ion battery pack applications 锂电池的理想选择
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价从优，期待您的合作。
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- 传真：755-83234439
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 8205A
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 8205A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 1000（mW） 8205A TSSOP-8 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 38mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 28mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功率、...
优势供应可控硅MCR100-6 TO-92
信息内容：品牌/商标 ON安森美 型号/规格 MCR100-6 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 塑料封装 封装外形 TO-92 关断速度 普通 散热功能 不带散热片 功率特性 小功率 频率特性 中频 额定正向平均电流 0.5（A） 控制极触发电压 0.8（V） 控制极触发电流 0.2（mA） 正向重复峰值电压 400（V） 反向阻断峰值电压 1.2（V） 型号封装控制方式极数VDRMVRRMITITITVGTIGTTYPE品牌Package( V )( V )MAX（RMS）AMAX(AV)ATSM（MAX）A（max）V（max）MAMAC97A6ONTO-92双向三极4004000.6 825MAC97A8ONTO-92双向三极60060...
