品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 10N60 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | n(V) | 夹断电压 | n(V) |
跨导 | n(μS) | 极间电容 | n(pF) |
低频噪声系数 | n(dB) | 漏极电流 | n(mA) |
耗散功率 | n(mW) |
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 2N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60 2N60...
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 11N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60,11N60C3 11N60...