拆机60N90 60N100 5N3011 16N50
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | 60N90 60N100 5N3011 16N50 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | 60N90 60N100 5N3011 16N50 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | =（V） | 夹断电压 | =（V） |
| 低频跨导 | =（μS） | 极间电容 | =（pF） |
| 低频噪声系数 | =（dB） | 漏极电流 | =（mA） |
| 耗散功率 | =（mW） |
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三蒲电子生产加工拆机IC，旧IC翻新，拆机场效应管，拆机二三极管，拆机光耦
拆机肖特基，快恢复，可控硅，模块，各类封装为DIP,SOP,PLCC,QFP,TQFP,TO-251,
TO-252,TO-262,TO-263,T0-220,TO-126,TO-92,TO-3P,TO-247等等产品，产品全检测，
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拆机W9NB90 W9NK90Z W12NK90Z W12N60
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W9NB90 W9NK90Z W12NK90Z W12N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 =（V） 夹断电压 =（V） 低频跨导 =（μS） 极间电容 =（pF） 低频噪声系数 =（dB） 漏极电流 =（mA） 耗散功率 =（mW） dzsc/18/7441/18744194.jpg三蒲电子生产加工拆机IC，旧IC翻新，拆机场效应管，拆机二三极管，拆机光耦拆机肖特基，快恢复，可控硅，模块，各类封装为DIP,SOP,PLCC,QFP,...
拆机G4PC40U G4PC50U 74N20,62N25
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 G4PC40U G4PC50U 74N20,62N25 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 =（V） 夹断电压 =（V） 低频跨导 =（μS） 极间电容 =（pF） 低频噪声系数 =（dB） 漏极电流 =（mA） 耗散功率 =（mW） 三蒲电子生产加工拆机IC，旧IC翻新，拆机场效应管，拆机二三极管，拆机光耦拆机肖特基，快恢复，可控硅，模块，各类封装为DIP,SOP,PLCC,QFP,TQFP,TO-251,TO-252,T...
