品牌/商标 | SiTime | 型号/规格 | SiT9103 |
种类 | 振荡器 | 标称频率 | 原厂标准(MHz) |
调整频差 | 原厂标准(MHz) | 温度频差 | 原厂标准(MHz) |
总频差 | 原厂标准(MHz) | 负载电容 | 原厂标准(pF) |
负载谐振电阻 | 原厂标准(Ω) | 激励电平 | 原厂标准(mW) |
基准温度 | 原厂标准(℃) | 插入损耗 | 原厂标准(dB) |
阻带衰减 | 原厂标准(dB) | 输入阻抗 | 原厂标准(kΩ) |
输出阻抗 | 原厂标准(kΩ) |
石英晶振即将消失,硅晶振取而代之!
SiTime MEMS硅晶振是全球MEMS时脉方案领导厂商SiTime公司依托德国Bosch公司经30年验证的MEMS时脉技术推出的一系列时脉产品。相较于传统的石英时钟方案,有诸多优势。采用先进的全自动化半导体工艺。是未来时钟的一种发展趋势。
SITIME MEMS硅晶振,采用全自动化的半导体技术。从本质上克服了传统石英振荡器存在的,偏振、停振、不起振、易碎、高低温性能差等因素。与传统石英产品相比,有以下优势:
1、全温式无温漂:-40 to +85, 零温漂;
2、低抖动:小于2PS;
3、低功耗:静态电流仅为0.4微安;
4、有效降低EMI:可有效降低16DB;
型号 类别 描述
SiT9105 可编程时钟发生器 1-800MHZ单端/差分输出全硅MEMS振荡器
SiT9104 可编程时钟发生器 1--220MHZ六路单端输出全硅MEMS振荡器
SiT9103 可编程时钟发生器 1--800MHZ三路差分输出全硅MEMS振荡器
SiT3702 压控可编程振荡器 1--220MHZ压控全硅MEMS振荡器
SiT3701 压控可编程振荡器 1--110MHZ压控全硅MEMS振荡器
SiT9003 扩频可编程振荡器 1--110MHZ展频全硅MEMS振荡器、可有效降低EMI
SiT9002 扩频可编程振荡器 1--220MHZ展频全硅MEMS振荡器、可有效降低EMI
SiT9001 扩频可编程振荡器 1--200MHZ展频MEMS全硅振荡器
SiT8033 低功耗可编程振荡器 2-110MHZ、双频点MEMS硅晶振
SiT8033XT 低功耗可编程振荡器 1-110MHZ、低功耗超薄MEMS硅晶振
SiT8003 低功耗可编程振荡器 1-110MHZ、低功耗MEMS硅晶振
SiT9107 差分可编程振荡器 220MHZ--800MHZ差分输出MEMS振荡器
SiT9102 差分可编程振荡器 1--220MHZ差分输出MEMS振荡器
SiT8102 四脚单端振荡器 1-200MHZ输出MEMS全硅震荡器
SiT8103 四脚单端振荡器 1-110MHZ、高性能MEMS硅晶振
Call for pricing 电邮:jason.li@elites.hk香港现货,DC:09+10+,货期3-4天,我司每周二、四统一安排报关,大陆交货RMB含税17% BZV55-B2V7,115 NXP 稳压二极管制造商: NXP 产品种类: 稳压二极管 RoHS: YES 齐纳电压: 2.7 V 电压容差: 2 % 电压温度系数: - 2 mV / K 功率耗散: 500 mW 端接类型: Axial 封装 / 箱体: SOD-80 齐纳电流: 250 mA 反向漏泄电流: 20 uA 封装: Reel 配置: Single Part # Aliases: 933925190115 BZV55B2V7 TR
Call for pricing Email:jason.li@elites.hk香港现货,DC:09+10+,货期3-4天,我司每周二、四统一安排报关,大陆交货RMB含税17% BZV55-B27,115 NXP 稳压二极管制造商: NXP产品种类: 稳压二极管 RoHS: YES 齐纳电压: 27 V 电压容差: 2 % 电压温度系数: 22.7 mV / K 功率耗散: 500 mW 端接类型: Axial 封装 / 箱体: SOD-80 齐纳电流: 250 mA 反向漏泄电流: 50 nA 封装: Reel 配置: Single Part # Aliases: 933931790115 BZV55B27 TR