场效应管 Si4953DY-T1-E3
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | VISHAY | |
| 型号： | Si4953DY-T1-E3 |
| 品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | Si4953DY-T1-E3 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 APM2300CAC-TRG
信息内容：品牌/商标 ANPEC 型号/规格 APM2300CAC-TRG 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 全新原装长期现货供应 专营电源IC 主营品牌:！AME（台湾安茂微）, 优势货源接受全线订货！EUTECH(台湾德信) , 优势货源接受全线订货！FITIPOWER（天钰）, 优势货源接受全线订货！ANPEC(台湾茂达微...
场效应管 SM2300
信息内容：品牌/商标 华茂 型号/规格 SM2300 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 全新原装长期现货供应 专营电源IC 主营品牌:！AME（台湾安茂微）,优势货源接受全线订货！EUTECH(台湾德信) ,优势货源接受全线订货！FITIPOWER（天钰）,优势货源接受全线订货！ANPEC(台湾茂达微）,优势...
