场效应管 FQPF5N60/FQPF5N60C
| 价 格： | 1.62 | |
| 品牌： | FAIRCHILD | |
| 型号： | FQPF5N60C |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF5N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 低频跨导 | 4700（μS） |
| 极间电容 | 515（pF） | 漏极电流 | 4.5A（mA） |
| 耗散功率 | 33W（mW） |
產品相片 TO-220F Pkg
標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 4.5A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5歐姆@ 2.25A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 670pF @ 25V
功率 - 33W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220F
其他名稱 FQPF5N60C FQPF5N60C-ND
描述
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 值:4.5A
- 电压, Vds :600V
- 开态电阻, Rds(on):2.5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs :30V
- 功耗:33W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220F
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:33W
- 封装类型:TO-220F
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:4.5A
- 电流, Idm 脉冲:18A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
- 手机：
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双极型晶体三极管 TIP41C
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 TIP41C 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 3（MHz） 集电极允许电流ICM 6（A） 集电极耗散功率PCM 65（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 標準包裝 50 類別 離散半導體產品 家庭 電晶體(BJT) - 單路 電晶體類型 NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（值） 100V 電流 - 集電極(Ic)（值） 6A 功率 - 65W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 4V 在Ib、Ic條件...
肖特基二极管 MBR30100CT/MBR30100F/MBR30100PT/MBR30100
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 NAMC 型号/规格 MBR30100CT 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 中功率 反向电压VR 100（V） 正向直流电流IF 30A（A） 描述二极管配置:双共阴极二极管类型:Schottky电压, Vrrm:100V平均整流正向电流 IF:30A正向电压 Vf :940mV电流, Ifs :200A工作温度范围:-65°C 到 +150°C封装形式:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)封装类型:TO-220AB电流, If 平均:30A结温, Tj :-65°C结温, Tj :150°C表面安装器件:通孔安装通态时间 @ IFSM测量:8.3ms反向恢复电流, Irrm:500mA电流, Ifsm:200A
