品牌/商标 | AOS万代 | 型号/规格 | AO3401 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | -1(V) | 夹断电压 | -30(V) |
漏极电流 | 4200(mA) | 耗散功率 | 1400(mW) |
品牌/商标 台产 型号/规格 9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) 9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中航路新...
品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT4953 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1.7(V) 夹断电压 -30(V) 漏极电流 -5.3(mA) 耗散功率 2500(mW)