功率模块整流桥FF300R12KT3
| 价 格： | 720.00 |
| 品牌/商标 | 品牌/商标:三菱/三社/三垦/富士/东芝/西门子/西门康/摩托罗拉/英达/日立/仙童/英飞凌/国际整流器/EUPEC/IXYS | 型号/规格 | GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、快恢复二级管、肖特基二极管、整流桥、模组、大功率模块。 |
| 封装 | 各类接线、直插封装 | 批号 | 2006+ |
| 类型 | 电源模块 | 输入电压 | 1200（V） |
| 输出电压 | 1200（V） | 功率 | 500000（W） |
- 所属城市：广东 深圳
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现货供应原装IR牌IGBT-IRGIB7B60KD
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IGBT-IRGIB7B60KD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 5（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 5000（mW） 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.2.特点: 具有输入电阻...
仙童IGBT-SGL160N60UFD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 Discrete, High Performance IGBT with Diode 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型
