场效应管2SK2351
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOSHIBAIBA | |
| 型号： | 2SK2351 |
| 品牌/商标 | TOSHIBAIBA | 型号/规格 | 2SK2351 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王钟禄
- 电话：0754-84495862
- 传真：0754-84495862
- 手机：
- QQ ：
三极管2SK3297
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 2SK3297 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
三极管2SK513
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK513 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管FS10KM-10三菱N/A T0-220FS10KM-12三菱N/A TO-220FS10KM-5三菱N/A TO-220FS10KM-6三菱N/A T0-220FS10KM-9三菱N/A T0-220FS10TM-10三菱N/A T0-220FS10TM-12三菱N/A TO-220FS10TM-9三菱N/A T0-...
