FQPF12N60C 仙童系列 场效应管/MOS-FET
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD | |
| 型号/规格： | FQPF12N60C |
| 类型 | 稳压IC | 品牌/商标 | FAIRCHILD |
| 型号/规格 | FQPF12N60C | 封装 | TO-220F |
| 批号 | 10+ |
FQP12N60C/FQPF12N60C
600V的N沟道MOSFET
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，
平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术，特别是针对已
限度地减少通态电阻，提供出色的开关
性能，经受住了在高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件非常
适合高效率开关模式电源供应器，
有源功率因数校正，电子镇流器
基于半桥拓扑。
特点
•第12A，600V的，的RDS（on）=0.65Ω@的VGS=10伏
•低栅极电荷（典型值48北卡罗来纳州）
•低Crss（21pF的典型）
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv /dt的能力
ST全新原装货
（二、三极管）1N4148、1/2W稳压管、1W稳压管、STPR1620、STPR1640、STPR1660、STPS2045CT、STPS10S100CT、STPS20S100CT、L7805CV、L7806CV、L7808CV、L7809CV、L7812CV、L7815CV、L7824CV、L7905CV、L7908CV、L7912CV、L7915CV、L78L05ACZ、TIP122、TIP127、TIP142、TIP147、TYN412、TYN612、TIP35C、TIP36C、TL431A、BUL38D、BUL128A、L6561、L6562、L6569、MJE3055T、MJE2955T
（可控硅）BTB04-600SL、BTA06-600C、BTA08-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA26-600B、BTA41-600B
（集成电路IC）LM324、LM358、LM393、LM339、NE555、NE556等
（场效应管）STP3NK60、STP4NK60、STP6NK60、STP9NK60、STP60NK06、STP75NF75
2N5551YBU FSC
KSC1008-Y/O FSC
2SK30A-GR TOS
STP60NF06 ST
TIP35C/36C ST
2SK2608 TOS
2SK3562 TOS
BT151-5OOR NXP
2SC2570A 瑞萨
AT41511 惠普
HS0038B. VISHAHY 本公司经营电子元器件代理、分销业务已有十二年，主要经营二极管、TVS管、三极管、场效应管、IGBT、可控硅、三端稳压、集成电路、电容、电阻等元器件。其中主要代理、分销FAIRCHILD、EIC、ST、FUJI、ON、KEC、PHILIPS、IR等进口品牌。
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- 联系人： 林楚生
- 电话：0755-36673319
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FQPF8N60 仙童 600V的N沟道MOSFET 场效应管/MOS-FET
信息内容：类型 稳压IC 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF8N60 封装 DIP/SMD 批号 10+ FQP8N60C/FQPF8N60C600V的N沟道MOSFET一般描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用了飞兆半导体的专有聮，平面条形，DMOS技术。这种先进的技术，特别是针对已限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了在高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑。特点声7.5A，600V的，的RDS（on）= 1.2惟@的VGS=10伏声低栅极电荷（典型值28北卡罗来纳州）声低Crss（典型值12pF）的声快速开关声100％雪崩测试声改进的DV/dt的能力 ST全新原装货（二、三极管）1N4148、1/2W稳压管、1W稳压管、STPR1620、STPR1640、STPR1660、STPS2045CT、STPS10S100CT、STPS20S100CT、L7805CV、L7806CV、L7808CV、L7809CV、L7812CV、L7815CV、L7824CV、L7905CV、L7908CV、L7912CV、L7915CV、L78L05ACZ、TIP122、TIP127、TIP142、TIP147、TYN412...
FQPF10N60C 场效应管/MOS-FET 仙童系列
信息内容：类型 稳压IC 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF10N60C 封装 TO-220F 批号 10+ FQP10N60C/FQPF10N60C600V的N沟道MOSFET一般描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。这种先进的技术，特别是针对已限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了在高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑。特点•9.5A，600V的，的RDS（on）=0.73Ω@的VGS=10伏•低栅极电荷（典型值44北卡罗来纳州）•低Crss（18pF的典型）•快速切换•100％雪崩测试•改进的dv /dt的能力 ST全新原装货（二、三极管）1N4148、1/2W稳压管、1W稳压管、STPR1620、STPR1640、STPR1660、STPS2045CT、STPS10S100CT、STPS20S100CT、L7805CV、L7806CV、L7808CV、L7809CV、L7812CV、L7815CV、L7824CV、L7905CV、L7908CV、L7912CV、L7915CV、L78L05ACZ、TIP122、TI...
