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锂电池IC SE8205 光宇MOS

价 格: 0.10
品牌:SINO-IC
型号:SE8205

品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8205
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 AM/调幅
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 12(V) 夹断电压 20(V)
极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB)
漏极电流 6(mA) 耗散功率 1(mW)

上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下:

(电话:021-33932402)
产品类别                         封装                                            型号

mosfetSE8205TSSOP8


    主要产品类别:
1、TVS/ESD保护器件
2、半导体过电压保护器件
3、功率MOSFET器件
4、肖特基二极管
5、数字三极管
6、稳压二极管
7、LED驱动电路

上海光宇睿芯微电子有限公司从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一。
上海光宇睿芯微电子有限公司座落于上海浦东张江高科技园区,是从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一。公司产品主要有:通讯系统的接口保护、便携产品接口保护、锂电池的过充过放保护、电源系统的过压保护和LED过压保护器件;以及稳压管、功率MOSFET器件、肖特基器件和LED驱动电路等。

上海光宇睿芯微电子有限公司
公司信息未核实
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  • 联系人: 袁丽玲
  • 电话:021-33932402
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场效应管MOS管(SINO-IC)(图)

信息内容:

品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE2N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 600(V) 低频跨导 60(μS) 极间电容 800(pF) 低频噪声系数 800(dB) 漏极电流 800(mA) 耗散功率 800(mW) 上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下:(电话:021-33932402)产品类别封装型号MOSSE2N60TO220MOSSE8205SOT23-6产品类别 封装 ...

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三极管(SINO-IC)(图)

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