可控硅 晶闸管模块MTC200A/2200V
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | 国产 | |
| 型号： | MTC200A/2200V |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MTC200A/2200V |
| 控制方式 | 单向 | 极数 | 三极 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 封装外形 | 模块 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 不带散热片 |
| 功率特性 | 中功率 | 频率特性 | 中频 |
| 额定正向平均电流 | 200（A） | 控制极触发电压 | 0（V） |
| 控制极触发电流 | 0（mA） | 正向重复峰值电压 | 0（V） |
| 反向阻断峰值电压 | 0（V） |
符号 | 参数名称 | 参数值 | 单位 | 测试条件 | ||
ITAV | 通态电流 平均值 | 130 | 160 | 180 | A | TV J=TV J M 180°导通 正弦半波 |
IFAV | 正向电流 平均值 |
| 160 | 180 | A | |
IORMS | 通态电流 有效值 | 290 | 355 | 400 | A |
|
ITSM IFSM | 浪涌电流 | 3200 3650 | 4750 5000 | 5100 5400 | A | t=10mS TJ=45℃ t=8.3mS 100%V RRM |
I2T |
| 51 47 | 113 103 | 130 120 | KA2S | t=10mS TJ=45℃ t=8.3mS 100%V RRM |
IRRM/IDRM | 断态漏电流 | 10 | 10 | 10 | mA | TJ=125℃,门极开路 |
VRRM | 反向重复峰值电压 | 800-1800 | V | 125℃ I RRM,I DRM=10mA 门极开路 | ||
VDRM | 断态重复峰值电压 | |||||
VTM VFM | 峰值通态电压 峰值正向电压 | 1.6 1.6 | 1.6 1.6 | 1.9 | V | ITM=πITAV；IFM=πIFAV TJ=25℃ 180°导通 压接1.9V |
Di/dt | 通态电流上升率 | 150 | A/μS | TJ=25℃,0.67VDRM ITM=ITAV,Ig=500mA Tr<0.5μs,tp>6μs | ||
Dv/dt | 断态电压上升率 | 500 | V/μS | TJ=125℃,0.67VDRM，门极开路 | ||
IH | 维持电流 | 200 | mA | TJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路 | ||
IL | 擎住电流 | 400 | mA | TJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载 | ||
PGM | 门极峰值功率 | 120 | W | TJ=TJM；IT=ITAV；TP=30μS | ||
VGT | 门极触发电压 | ≤2 | V | TJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载 | ||
IGT | 门极触发电流 | ≤100 | mA | |||
VISO | 绝缘电压 | 2500 | V | 50HZ电路对基板，接线端短接。T=1s | ||
TJ | 工作结温/ | -40 to 125 | ℃ ℃ |
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Tstg | 储存温度 | |||||
RthJC | 结壳热阻 | 0.12 | 0.11 | 0.11 | K/W | 每个模块，直流 |
RthJCS | 接触热阻 基板— 散热器 | 0.07 | K/W | 涂导热硅脂 | ||
| 重量 | 362 | g |
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| 外形尺寸 | 94*35*38 | mm |
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| 外壳颜色 | 黑 |
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- 所属城市：北京 北京市
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MDS150A1600V三相整流桥模块
信息内容：品牌/商标 安泰 型号/规格 MDS150A1600 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 功率型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 低频 出光面特征 矩形 发光强度角分布 标准型 正向直流电流IF 150（A） 反向电压 1600（V）
三相整流桥模块MDS100A/1600V
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MDS100A/1600V 产品类型 整流桥、高压硅 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 功率型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 发光颜色 负阻 LED封装 无色透明封装(T) 出光面特征 方形 发光强度角分布 标准型 正向直流电流IF 100（A） 反向电压 1600（V） 产品简介： MDS系列模块产品是将功率整流二极管按标准三相整流全桥电路封装在一起，功率半导体芯片和底基板绝缘，结构紧凑。体积小、重量轻、安装使用方便，多个模块可以共用一个散热器。广泛的应用在直流...
