品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP2907 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 75(V) |
夹断电压 | 1(V) | 跨导 | 1(μS) |
极间电容 | 1(pF) | 低频噪声系数 | 1(dB) |
漏极电流 | 209(mA) | 耗散功率 | 1(mW) |
品牌/商标 IR 型号/规格 2N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 详见规格书(V) 夹断电压 600(V) 跨导 详见规格书(μS) 极间电容 详见规格书(pF) 低频噪声系数 详见规格书(dB) 漏极电流 200(mA) 耗散功率 详见规格书(mW) dzsc/18/7382/18738264.jpg本价格均是含税价格。产品详情,更多产品型号请旺旺咨询。本公司有原装现货 场效应管,二三极管供应。更多产品详情可与本人联系。详谈。量大从优. 深圳市三洲电子有限公司集团半导体生产基地位于深圳和江苏无锡,主力从事研究、开发、生产全系列二三极管、场效应管等元器件。工厂占地总面积8000,000平方英尺,公司技术力量...
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