品牌/商标 | IR,MOT,PH,三星 | 型号/规格 | IRF9Z24,IRFZ24 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | /(V) |
夹断电压 | /(V) | 跨导 | /(μS) |
极间电容 | /(pF) | 低频噪声系数 | /(dB) |
漏极电流 | /(mA) | 耗散功率 | /(mW) |
长期供应TO-220,TO-252,TO-251,TO-263,TO-3P等封装三极管,场效应管,可控硅,三端稳压,四端稳压,高压管,肖特基二极管,快恢复二极管,SOP,DIP,QFP等封装的IC。价格便宜,欢迎查询选购
品牌/商标 Sanyo三洋 型号/规格 B885,2SB885 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 5(A) 集电极耗散功率PCM 30(W) 截止频率fT /(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
品牌/商标 Hitachi日立 型号/规格 B765,2SB765 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 120(V) 集电极允许电流ICM 3(A) 集电极耗散功率PCM 30(W) 截止频率fT /(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装