场效应管HX634(TO-251,TO-252)
| 价 格： | 1.05 | |
| 品牌： | HX(环鑫) | |
| 型号： | HX634(TO-251,TO-252) |
| 品牌/商标 | HX(环鑫) | 型号/规格 | HX634(TO-251,TO-252) |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 250（V） | 夹断电压 | 1.5（V） |
| 低频跨导 | 0.1（μS） | 极间电容 | 0.1（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.1（dB） | 漏极电流 | 8.8（mA） |
| 耗散功率 | 0.1（mW） |
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HX634 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 8.8A，250V，RDS(on)=0.43Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 蒋德平
- 电话：0755-89516539
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现货HX10N60C(TO-220,TO-220F
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX10N60C(TO-220,TO-220F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 现货供应HX10N60C(TO-220,TO-220F)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管HX7N60 TO-220/TO-220F 质量保证.货源充足,有实...
场效应管WFU1N60 TO-251
信息内容：品牌/商标 Wisdom 型号/规格 WFU1N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW）
