四方牌MTX系列可控硅、晶闸管模块（40年老厂，值得信赖）
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 四方 | |
| 型号： | MTX |
| 品牌/商标 | 四方 | 型号/规格 | MTX |
| 控制方式 | 单向 | 极数 | 三极 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 封装外形 | 平底形 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 带散热片 |
| 频率特性 | 中频 | 功率特性 | 中功率 |
| 额定正向平均电流 | 55（A） | 控制极触发电流 | 150（mA） |
| 稳定工作电流 | 90（A） | 反向重复峰值电压 | 1600（V） |
1 范围
本标准规定了大功率焊接式高压可控硅模块（含芯片）的外形尺寸、额定值、特性值、检验规则、试验方法、标志、包装、运输、贮存。本标准适用于按单个器件额定通态平均电流在500A至1000A的大功率焊接式高压可控硅模块（含芯片）。
2 规范性引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本适用于本标准。
GB/T 2900.32—1994 电工术语 电力半导体器件
GB/T4589.1-1989半导体器件 分立器件和集成电路总规范（idt IEC60747-10:1984）
GB 4728.5—1985 电气图用图形符号 半导体管和电子管（neq IEC 617-5:1983）
GB 4024—83 半导体器件反向阻断三极晶闸管的试验方法
GB/T 4937—1995 半导体器件机械和气候试验方法（idt IEC749:1984）
GB/T 4938—1995 半导体分立器件接收和可靠性（idt IEC147:1976）
JB/T 2423—1999 电力半导体器件型号编制方法
JB/T 4277—1996 电力半导体器件包装
JB/T 5846—1991 晶闸管特性曲线计算指南
JB/T 7626—1994 反向阻断三级晶闸管测试方法
JB/T 6306—92 电力半导体模块外形尺寸
JB/T 7625.2—94 晶闸管模块测试方法 臂对和反并联臂对
JB/T 7826.1—1995 MT、MF系列臂对晶闸管模块
3 产品型式
3.1 型号说明
大功率焊接式高压可控硅模块的型号按JB/T 7826.1—1995规定，如下：
M T C×××-××
××-表示断态和反向重复峰值电压级数（按表2）
×××-表示通态平均电流值（单位：A）
C-表示电路形式为串联
T-表示器件类别为晶闸管（可控硅）
M-表示模块
3.2 图形符号
电气图用可控硅模块芯片的图形符号符合GB 4728.5的规定，如图1所示。
3.3 外形尺寸
3.3.1 双孔单向装散热器式模块按JB/T 6306—92中3.3.2。
3.3.2 四孔单向装散热器式模块按JB/T 6306—92中3.3.3。
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四方牌KK系列平板型快速晶闸管KK1800A/1800V
信息内容：品牌/商标 四方 型号/规格 KK1800A 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 陶瓷封装 封装外形 圆壳形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 中频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 1800（A） 控制极触发电流 70（mA） 稳定工作电流 1800（A） 反向重复峰值电压 1800（V）
MTX300A可控硅模块
信息内容：品牌/商标 四方 型号/规格 MTX 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 塑料封装 封装外形 平底形 关断速度 普通 散热功能 带散热片 功率特性 大功率 频率特性 中频 额定正向平均电流 300（A） 控制极触发电压 3.0（V） 控制极触发电流 150（mA） 正向重复峰值电压 1600（V） 反向阻断峰值电压 1600（V） 特点： 1、芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压； 2、国际标准封装； 3、优良的温度特性和功率循环能力； 4、350A以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块既可选用风冷也可选用水冷； 5、安装简单，使...
