品牌/商标 | 强茂 | 型号/规格 | 全系列 |
产品类型 | 快恢复二极管 | 结构 | 点接触型 |
材料 | 硅 | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 玻璃封装 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 正向直流电流IF | FDG(A) |
反向电压 | FGH(V) |
Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812
Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATURES
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200typ.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50VSilicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812
Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATURES
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200typ.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50V
Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812
Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATURES
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200typ.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50V
品牌/商标 进口 型号/规格 2UF/350V 介质材料 独石 应用范围 中和 外形 圆柱形 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±100(%) 耐压值 400(V) 标称容量 250 损耗 0.0001 额定电压 12(V) 额定电流 12(A) CY东莞市灿域电子有限公司 灿域电子科技企业,成立于1999年,总部设在香港,随着高新科技电子材料的发展,灿域电子集团适时地研究开发了适应国际高科技电子所需求的贴片式电容(MLCC)、贴片式电阻([Electrics]).钽电容(Tantalum Capacitp...
品牌/商标 进口 型号/规格 3UF/250V 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 晶体管电路 外形 圆柱形 功率特性 大功率 频率特性 高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±0.002(%) 耐压值 450(V) 标称容量 250V 损耗 0.000001 额定电压 12(V) 额定电流 12(A) CY东莞市灿域电子有限公司 灿域电子科技企业,成立于1999年,总部设在香港,随着高新科技电子材料的发展,灿域电子集团适时地研究开发了适应国际高科技电子所需求的贴片式电容(MLCC)、贴片式电阻([Electrics]).钽电容(Ta...