FQPF10N60C,,10N60
| 价 格： | 2.55 | |
| 品牌： | Fairchild | |
| 型号： | FQPF10N60C |
| 品牌/商标 | Fairchild | 型号/规格 | FQPF10N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 0.01（mA） |
| 耗散功率 | 120（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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BTA16-600BW可控硅
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA16-600BW 控制方式 双向可控硅 极数 三极 封装材料 树脂封装 封装外形 TO-220 关断速度 普通 散热功能 带散热片 频率特性 中频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 16（A） 控制极触发电流 0.01（mA） 稳定工作电流 4（A） 反向重复峰值电压 600（V）
SI4953/SI9435/AO3400
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI4953/9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 30（V） 跨导 0.1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 0.001（mA） 耗散功率 1（mW） 深圳市亿瑞半导体科技门市部：深圳市福田区中航路新亚洲二期N1A008 传真：0755-82543370联系人：柯先生 电话：0755-82565477/83685821 13925222172我司的主要...
