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专营(美国万代)AOS场效应管MOSAOD4104

价 格: 面议
品牌:AOS(美国万代)
型号:AOD4104

品牌/商标 AOS(美国万代) 型号/规格 AOD4104
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 V-FET/V型槽MOS
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 30(V) 夹断电压 25(V)
漏极电流 75000(mA) 耗散功率 100000(mW)

香港金宁电子主要代理,分销:AOS(美国万代)ME(松木) VISHAY FSC IR PHILIPS(NXP) ST NEC AVX 等知名品牌!经营范围:MOSFET(场效应) 瞬变 肖特基 高频管 三端稳压 钽电容!

公司一直以"金品质 在金宁"的经营宗旨,加上多年的经营管理体制,同时和香港,台湾,以及国外多家生产商,代理商建立密切良好的合作关系,为广大客户赢得更大的优势更好的利润,真诚欢迎新老客户共谋发展,共创辉煌! (为广大客户提供快捷,质量放心的配套服务)


AOS产品广泛应用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护(PCM/BP)等产品,应用型号参考如下:
锂电池保护应用:
SO-8: AO9926B、AO4407、AO4409、AO4419、AO4410、AO4411
SOT-23:AO3400、AO3401、AO3414、AO3402、AO3415、
DFN2*5:DFN3*3:AON3806、AON5800、AON5802、AOZ9004BI;...
TSSOP-8:AO8822、AO8810、AO8814、AO8804、AO8806、AO8818、
*AOZ9004BI —a single IC combining one dual N Channel MOSFET (AOS AO88xx series MOSFET) and one Battery Protect IC (Seiko S8211 series) for PCM application.
数码相机(SOT23):AO3400、AO3401、AO3402、AO3403、AO3413...
手机:AO3415、AO7401、AO6?01、AO3402、AO7400、AON4701、AON4703、AO7407;
主板:AOD406、AOD408、AOD412、AOD414、AOD420、AOB412、AOB416、AOB420、AO4406、AO4419、AO3402、AO3414…
LCD B/L(Inverter):AOD405、AOD408、AO4604、AO4606、AO4161、AOP605、AOP610、AOP657、AOP608、AOD604、AOD606;
MP3/PMP:AO3400、AO3401、AO3402、AO3403、AO4406、AO4408、AO4702、AO4800、AO4914、AO6?07、AO6?09、AO6702、AO9926 ...
电动车控制器:AOT428、AOT430、AOT400;
VGA显卡:AO3400、AO3401、AO3402、AO3403、AO4406、AO4408、AO4410、AO4800、AO4914、AO6?07、AO6?09、AO6702…
LED显示墙(SO-8):AO4801、AO4803 ...
EzBuck DC/DC:AOZ1010AI、AOZ1013AI、AOZ1014AI、AOZ1011AI…

深圳市福田区新亚洲电子市场二期金宁电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈建宁
  • 电话:0755-82543122
  • 传真:0755-82543122
  • 手机:
  • QQ :
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代理直销AOS(万代)场效应管MOS管AOD446

信息内容:

品牌/商标 AOS(美国万代) 型号/规格 AOD446 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 V-FET/V型槽MOS 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 25(V) 夹断电压 75(V) 漏极电流 10000(mA) 耗散功率 20000(mW) 深圳市金宁电子(香港金宁电子有限公司)成立于2002年, 坚持以“诚信经营,品质”为立业之基!“创新,高效,,求实”为创业之根本!成为客户与生产商可靠的桥梁。多年的市场经验与品牌直销,为电子产品制造商提供优质和放心的服务。★经营理念:公司多年来与新加坡,台湾,香港等电子元器件厂商与代理商成为合作伙伴,拥有货源稳定,价格合理,交货及时...

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优势供应原装场效应管MOS管STD7NS20

信息内容:

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STD7NS20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 V-FET/V型槽MOS 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 200(V) 漏极电流 7000(mA) 耗散功率 45000(mW)

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