现货供应IR原装进口MOS管IRFB3206G
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INR美德国际整流器件 | |
| 型号： | IRFB3206G |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFB3206G |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 5（V） |
| 低频跨导 | 5（μS） | 极间电容 | 5（pF） |
| 低频噪声系数 | 5（dB） | 漏极电流 | 5（mA） |
| 耗散功率 | 5000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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现货供应原装IR牌IGBT-IRGB10B60KD
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IGBT-IRGB10B60KD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 5（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 5000（mW）
现货供应IR原装进口MOS管IRFB61N15D
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFB61N15D 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 5（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 5000（mW） 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.2.特点: 具有输入电阻高（1...
