品牌/商标 | 申社 | 型号/规格 | MTC |
控制方式 | GTO(门极关断) | 极数 | 多极 |
封装材料 | 塑料封装 | 关断速度 | 普通 |
功率特性 | 大功率 | 额定正向平均电流 | 25-1000(A) |
控制极触发电压 | 2.0-3.0(V) | 控制极触发电流 | 100-250(mA) |
我公司生产的申社牌晶闸管模块系列,电流从25A至31200A,电压从400V至3000V,部分品种能做到4500V。25A至110A可选用图1或图2外形,130A至250A可选用图3外形,200A至350A可选用相册中W50外形,200至250A可选用相册中W54外形,300A至500A可选用相册中W65外形,600A至700A可选用相册中W66S外形,700A至1200A可选用相册中W77外形。我公司同系列有MTC,MTK,IKP,MTA,MT/DC,MD/TC,MT/DK,MT/DA。同时可根据客户要求定制相应规格型号。
说明:
1、IF(AV)=25A~1000A, VRRM=400V~5000V, Tjm=125°C, dv/dt≥500 V/μS, VISO≥25KVRMS,
2、表中参数为模块每个晶闸管(整流管)芯片的额定值和特性参数。但Rth (c-h )为模块值。
3、表中Rth ( j-c )值为每一个芯片的热阻值。对于由2个芯片组成的模块,Rth ( j-c )模块=1/2 Rth ( j-c )芯片;I2t=1/2 I2TSMt,底宽t在50Hz时为10ms; VTM是在ITMxπ电流25°C下测得。
适用型号:MTC、MD/TK、MT/DC、MTK、MT/DK、MTA、MT/DA、MTX、MT/DX、IKP
型号 | VDRM | IDRM | IT(AV) | TC | IT(RMS) | ITSM | I2t | di/dt | VTM | IL | IH | VGT | IGT | VTO | rTO | Rth( j-c ) | Rth(c-h ) | 外形代号 |
V | mA | A | °C | A | A | A2*S | A/μS | V | mA | mA | V | mA | V | mΩ | °C/W | °C/W |
| |
Mxx25 | 400~2200 | 10 | 25 | 85 | 40 | 510 | 1300 | 80 | 1.55 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.9 | 8.30 | 1.14 | 0.10 | W20_1或W25_2 |
Mxx40 | 400~2200 | 10 | 40 | 85 | 65 | 920 | 4230 | 80 | 1.51 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.9 | 4.90 | 0.730 | 0.10 | W20_1或W25_2 |
Mxx55 | 400~2200 | 10 | 55 | 85 | 86 | 1200 | 7200 | 80 | 1.58 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 1.0 | 3.40 | 0.500 | 0.10 | W20_1或W25_2 |
Mxx70 | 400~2200 | 10 | 70 | 85 | 110 | 1480 | 11x103 | 80 | 1.48 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.8 | 3.10 | 0.430 | 0.10 | W20_1或W25_2 |
Mxx90 | 400~2200 | 10 | 90 | 85 | 140 | 1780 | 15.8x103 | 80 | 1.55 | 250 | 100 | 2.5 | 100 | 0.8 | 2.70 | 0.320 | 0.10 | W20_1或W25_2 |
Mxx110 | 400~2200 | 10 | 110 | 85 | 170 | 2380 | 28.3x103 | 100 | 1.58 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 1.0 | 1.68 | 0.250 | 0.10 | W20_1或W25_2 |
Mxx130 | 400~2200 | 20 | 130 | 85 | 200 | 3540 | 62.7x103 | 100 | 1.58 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.8 | 1.88 | 0.220 | 0.05 | W25_2或W34_3或W36_20 |
Mxx160 | 400~2200 | 20 | 160 | 85 | 250 | 4680 | 110x103 | 100 | 1.72 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 1.0 | 1.44 | 0.160 | 0.05 | W34_3或W36_20 |
Mxx200 | 400~2200 | 20 | 200 | 85 | 310 | 5600 | 157x103 | 100 | 1.60 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.8 | 1.28 | 0.140 | 0.05 | W34_3或W36_20或W54_5 |
Mxx250 | 400~5000 | 20 | 250 | 85 | 390 | 6630 | 220x103 | 100 | 1.62 | 400 | 200 | 2.5 | 200 | 0.8 | 1.04 | 0.112 | 0.05 | W36_20或W54_5 |
Mxx300 | 400~5000 | 20 | 300 | 85 | 470 | 7850 | 308x103 | 100 | 1.52 | 400 | 200 | 3.0 | 200 | 0.7 | 0.87 | 0.100 | 0.05 | W50_4或W54_5或W65_6 |
Mxx350 | 400~5000 | 30 | 350 | 80 | 550 | 9100 | 414x103 | 100 | 1.60 | 400 | 250 | 3.0 | 250 | 0.8 | 0.74 | 0.090 | 0.03 | W50_4或W65_6 |
Mxx400 | 400~5000 | 30 | 400 | 80 | 630 | 10.8x103 | 583x103 | 100 | 1.61 | 400 | 250 | 3.0 | 250 | 0.7 | 0.73 | 0.080 | 0.03 | W65_6或W60_31 |
Mxx500 | 400~5000 | 30 | 500 | 80 | 785 | 12.1x103 | 732x103 | 150 | 1.75 | 400 | 250 | 3.0 | 250 | 0.7 | 0.67 | 0.060 | 0.03 | W65_6或W60_31 |
Mxx700 | 400~5000 | 50 | 700 | 80 | 1010 | 14.2x103 | 1008x103 | 150 | 1.74 | 500 | 300 | 3.0 | 250 | 0.8 | 0.43 | 0.042 | 0.03 | W77_14 |
Mxx800 | 400~5000 | 50 | 800 | 70 | 1256 | 16.2x103 | 1312x103 | 150 | 1.86 | 500 | 300 | 3.0 | 250 | 0.9 | 0.39 | 0.042 | 0.03 | W77_14 |
Mxx1000 | 400~5000 | 50 | 1000 | 70 | 1570 | 19x103 | 1805x103 | 150 | 1.89 | 500 | 300 | 3.0 | 250 | 0.8 | 0.35 | 0.033 | 0.03 | W77_14 |
一、超快恢复二极管(FRED)模块 IGBT,功率MOSFET等高速开关器能在电力电子线路中发挥真正的功能和效率,必须与作为续流、吸收、箝位和隔离二极管以及输入和输出整流器的超快恢复二极管(FRED)配合使用才行。在带直流环变频器的输入整流器内,采用超快恢复二极管将大大降低变频器的谐波和波形畸变。 从而降低EMI滤波器的电容器和电感器的尺寸及价格。 这种超快恢复二极管模块目前已广泛用于开关电源、 变频器、 逆变焊机、高频感应加热、不间断电源恶通讯电源等领域。超快恢复二极管的关断特性参数:用trr(反向恢复时间),Qrr(反向恢复电荷)和IRM(反向恢复峰值电流)来表示(如图)。软度因子(S)亦是该器件的重要参数。它们之间的关系式为 dzsc/18/8462/18846213.jpg dzsc/18/8462/18846213.jpgFRED导通和关断时的电流和电压波形 1、超快恢复二极管(FRED)模块(非绝缘型)说明:1、 IF(AV)=60A~300A,VRRM=600V~1200V,trr=30ns~40ns,Tjm=150°C2、 表中参数为模块每个超快恢复二极管的额定值和特性参数,但Rth( c-h )为模块值;3、 ,tw在50Hz时为10ms;Rth ( j-c )模块=1/2*Rth ( j-c )芯片。 型号VRRMIF(AV)TcIFSMI2tVFMIFMVFOrFOTrrRth ( j-c )Rth (c-h )外...
我公司生产的申社牌三相晶闸管半桥模块系列,电流从25A至300A,电压从400V至2200V,广泛应用于可控硅焊机。25A至130A可选用图1外形,130A至200A可选用图2外形,150A以上可选用图3外形。我公司同系列有MTY、MTH、MDH,同时可根据客户要求定制相应规格型号。 说明:1、IF(AV)=25A~300A, VDRM=VRRM=400V~2200V, Tjm=150°C, dv/dt≥500 V/μS2、表中参数为模块每个晶闸管芯片的额定值和特性参数。但Rth (c-h )为模块值。3、表中Rth ( j-c )值为每一个芯片的热阻值。对于由3个芯片组成的模块,Rth( j-c )模块=1/3 Rth ( j-c )芯片;I2t=1/2 I2TSMt,底宽t在50Hz时为10ms; VFM是在IF(AV)π电流下25°C时测得。适用型号:MTY、MTG、MTH、MDH dzsc/18/8741/18874173.jpg 内部线路图 dzsc/18/8741/18874173.jpg25A至130A推荐使用外形尺寸 dzsc/18/8741/18874173.jpg130A至200A推荐使用外形尺寸 dzsc/18/8741/18874173.jpg 150A至300A推荐使用外形尺寸 dzsc/18/8741/18874173.jpg "