三极管11N50
| 价 格： | 0.50 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | 11N50 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | 11N50 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0.（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王钟禄
- 电话：0754-84495862
- 传真：0754-84495862
- 手机：
- QQ ：
三极管12N50
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 12N50 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管，欢迎来人来电咨询惠顾！27611仙童TO22008年SG6742MRSY仙童SOP809年06N80C3英飞凌TO22007年16CTQ100IRTO22007年18N50PV2仙童TO22008年20N60C3英飞凌TO22006年2SB1020东芝TO22008年2SB1258SKTO22007年2SB1259SKTO22006年2SB834东芝TO22008年2SC3746三洋...
三极管10N60
信息内容：品牌/商标 SAM韩国三星 型号/规格 10N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管，欢迎来人来电咨询惠顾！27611仙童TO22008年SG6742MRSY仙童SOP809年06N80C3英飞凌TO22007年16CTQ100IRTO22007年18N50PV2仙童TO22008年20N60C3英飞凌TO22006年2SB1020东芝TO22008年2SB1258SKTO22007年2SB1259SKTO22006年2SB834东芝TO22008年2SC3746三洋...
