品牌/商标 | AO | 型号/规格 | AO3407 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 20(V) | 夹断电压 | 30(V) |
漏极电流 | 4100(mA) |
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深圳市阔元电子有限公司
30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10A= 14mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-10A= 20mΩ
深圳市福田区 华强北中航路佳和华强大厦五楼5C066室
翁苏铃 QQ 991882375 电话 0755-82539398 手机 13760455447
主营小功效场效应管(台湾原装进口品牌):
2300,2301,2302,2305,2312,3400,3401,3407,
4410,4430,4435,4501,4503,4946,4953,
DW01+,8205A,8205S,8810,8822,9435,9926A,
KP1500-ADJ,KP1504-ADJ,KP1510-ADJ,KP1512-ADJ
型号繁多,未能尽录
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http://www.xr-ic.com
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI2305DS-T1-E3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 12(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 4700(mA) dzsc/18/7359/18735980.jpg深圳市阔元电子有限公司20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON), Vgs@- 4.5V, Ids@- 4.7A = 60mΩ RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100mΩ深圳市福田区 华强北中航路佳和华强大厦五楼5C066室翁苏铃 QQ 991882375 电话 0755-82539398 手机 13760455447主营小功效场效应管(台湾原装进口品牌):2300,2301,2302,2305,2312,3400,3401,...
品牌/商标 AO 型号/规格 8822 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 7000(mA)