场效应管SED8820N DFN3*2封装 SINO-IC
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | SED8820N |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SED8820N |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 7000（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
SHANGHAI Feb 2010 MICROELECTRONICSCO., LTD.
SED8820N
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FeaturesFor a single mosfet ●VDSS= 20 V ●RDS(ON)< 19mW? @ VGS=4.5V @Ids=7A RDS(ON)< 23mW? @ VGS=2.5V @Ids=4A |
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Applications
●Battery protection ●Load switch ●Power management | ||||||
Construction
●Silicon epitaxial planer | ||||||
Absolute Maximum Ratings | ||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||
Drain-Source Voltage | VDS | 20 | V | |||
Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | V | |||
Drain Current (Note 1) | Continuous Pulsed | ID | 7 | A | ||
IDM | 28 | |||||
Drain-Source Diode Forward Current | IS | 1.7 | A | |||
Maximum Power Dissipation | PD | 1.5 | W | |||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||
StorageTemperature Range | TSTG | |||||
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主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
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半导体IC（SINO-IC）(图)
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 P2300LA 种类 保险丝管 用途 通信 体积 小型 电压特性 安全电压 形状 贴片式 熔断速度 TT/特慢速 执行标准 国标 自动复位功能 有 电压 1（V） 电流 1（A） 保持电流 1（A） 动作温度 1（℃） 温控范围 1（℃） 上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：（电话021-33932402）公司特色:上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)是自主研发设计生产公司，在保证产品品质的同时，价格也是的。产品类别 型号 封装放电管P2300L...
数字三极管SEC123JG(图)
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SEC123JG 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 超高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 1（W） 营销方式 厂家直销 产品性质 热销
