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场效应管 MOS管 ZVN2120G

价 格: 0.70
品牌:ZETEX
型号:ZVN2120G

品牌/商标 ZETEX 型号/规格 ZVN2120G
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 20V(V) 夹断电压 200V(V)
跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA)
耗散功率 1(mW)



优势全新原装无铅产品

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  • 联系人: 朱钦雄
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场效应管 MOS管 FDD6030 FDD6030BL FDD6030L 只做原装现货

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FDD6030 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20V(V) 夹断电压 30V(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 60A(mA) 耗散功率 1(mW) 特价供应FDD120AN15AOFAIRCHILD07+TO-252FDD5612FAIRCHILD05+TO-252FDD5614FAIRCHILD04+TO-252FDD5614PFAIRCHILD05+TO-252FDD5614PFAIRCHILD04+TO-252FDD5670FAIRCHILD05+TO-252FDD6030FAIRCHILD05+TO-2...

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场效应管 FQPF9N50C FQPF5N50C

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF9N50 FQPF5N50 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30V(V) 夹断电压 500V(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 3A(mA) 耗散功率 39W(mW) FQPF9N50 FQPF5N50 09年全新原装无铅深圳现货

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