品牌/商标 | 台产 | 型号/规格 | 2302 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0.8(V) | 夹断电压 | 20(V) |
漏极电流 | 2800(mA) | 耗散功率 | 1250(mW) |
品牌/商标 GTM 型号/规格 G2302 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 2800(mA) 耗散功率 1250(mW) G2302 SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A = 60mΩRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@2.0A= 115mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 --------------------------------------------...
品牌/商标 MT 型号/规格 MT2301 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.65(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 2800(mA) 耗散功率 700(mW) 2301 SOT-23 3000PCS/盘 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A= 85mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A= 110mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 ------------------------------------------...