优势供应 场效应管 SI2301 SOT-23 贴片MOS管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | VISHAY威世 | |
| 型号： | SI2301DS-T1-ES |
| 品牌/商标 | VISHAY威世 | 型号/规格 | SI2301DS-T1-ES |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 0.65（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 漏极电流 | 2800（mA） | 耗散功率 | 700（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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优势供应 场效应管 APM2301 SOT-23 贴片MOS管
信息内容：品牌/商标 ANPEC茂达 型号/规格 APM2301AAC-TRL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.65（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 2800（mA） 耗散功率 700（mW） APM2301AAC-TRL SOT-23 3000PCS/盘 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A= 85mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A= 110mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 ---------------...
优势供应 场效应管 GT2301 SOT-23 贴片MOS管
信息内容：品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT2301 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.65（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 2800（mA） 耗散功率 700（mW） GT2301 SOT-23 3000PCS/盘 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A= 85mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A= 110mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 ------------------------------------...
