品牌/商标 | VISHAY威世 | 型号/规格 | SI2300DS-T1-ES |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0.85(V) | 夹断电压 | 20(V) |
漏极电流 | 4200(mA) | 耗散功率 | 1400(mW) |
品牌/商标 GTM 型号/规格 G2300 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 4200(mA) 耗散功率 1400(mW) G2300 SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.5A= 38mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.2A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功率、...
品牌/商标 MT茂钿 型号/规格 MT2300 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 4200(mA) 耗散功率 1400(mW)