品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7402 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20(V) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
SO8, N沟MOSFET
IRF7402PbF |
8-SOIC |
IR Hexfet 8-SOIC |
4,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
35 毫欧 @ 4.1A, 4.5V |
20V |
6.8A |
700mV @ 250µA |
22nC @ 4.5V |
650pF @ 15V |
2.5W |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SO |
带卷 (TR) |
产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 BZX84C2V4-BZX84C75 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 频率特性 中频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 2.4(V) 正向直流电流IF 0(A) 数据列表BZX84C2V4 - BZX84C39产品相片SOT-23-3产品变化通告Encapsulate Change 15/May/2008Wire Change 16/Sept/2008其它图纸SOT-23 350mW SideSOT-23 350mW Circuit标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/齐纳系列-电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.4V电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()900mV @ 10mA电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 1V容差±8.33%功率 - 350mW阻抗()(Zzt)100 欧姆...
产品类型 肖特基管 品牌/商标 国产 型号/规格 BAT43W 结构 点接触型 材料 其他 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 频率特性 高频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 30(V) NA Diode - Schottky Single 30V 200mW数据列表BAT42WS, BAT43WS产品相片SOD-323-2产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图MCC Diode SOD-323 Pkg标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()1V @ 200mA电压 - (Vr)()30V电流 - 平均整流 (Io)100mA电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 25V二极管型肖特基速度小信号 =< 200mA (Io),任意速度反向恢复时间(trr)5ns电容@ Vr, F-安装类型表面贴装...