插件整流二极管1N5401
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | MIC | |
| 型号/规格： | 1N5401 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 低频 |
| 产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | MIC |
| 型号/规格 | 1N5401 | 结构 | 外延型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 发光颜色 | 无 |
| LED封装 | 无 | 出光面特征 | 无 |
| 发光强度角分布 | 无 | 反向电压VR | 100（V） |
| 正向直流电流IF | 3000（A） |
厂家直销插件硅整流二极管1N5401 DO-27封装，采用进口芯片质量保障，罗素电子采用没有中间环节新兴电子商务模式，省去了传统销售模式的层层环节，为您大大节省采购成本，增强您企业的产品竞争力，质量100%保障，放心采购。
价格，品质好。
品牌：MIC
型号：1N5401
封装：DO-27
参数：
1、循环峰值反向电压：100V
2、平均正向整流电流：3.0A
3、单一正向峰值浪涌电流：200A
4、正向压降（单一元件）：1.2V
5、DC反向漏电流：5.0uA
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二极管的工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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强茂肖特基二极管SB10100FCT
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