IGBT:FGL40N120AND
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FGL40N120AND |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FGL40N120AND |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 |
| 开启电压 | 1200（V） | 漏极电流 | 40（mA） |
- 所属城市：广东 深圳
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40A600V（FGH40N60SFD）
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FGH40N60SFD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 600（V） 漏极电流 40（mA）
场效应管STW21NM60
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STW21NM60 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 600（V） 漏极电流 21（mA） 原装，一手货源。 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
