优势供应 D882 SOT-89放大三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | D882 SOT-89 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 低频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 封装形式： | 贴片型 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | D882 SOT-89 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 平面型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | SOT-89 |
| 截止频率fT | 50（MHz） | 集电极允许电流ICM | 3（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 0.5（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
- 所属城市：广东 深圳
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优势供应 场效应管 APM2302 SOT-23 贴片MOS管
信息内容：品牌/商标 ANPEC茂达 型号/规格 APM2302AAC-TRL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 2800（mA） 耗散功率 1250（mW） APM2302AAC-TRL SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A = 60mΩRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@2.0A= 115mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 ------------------...
优势供应 场效应管 APM2300 SOT-23 贴片MOS管
信息内容：品牌/商标 ANPEC茂达 型号/规格 APM2300AAC-TRL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 4200（mA） 耗散功率 1400（mW） APM2300AAC-TRL SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.5A= 38mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.2A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current han...
