品牌/商标 | IR/仙童/哈里斯 | 型号/规格 | 2N60 |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | - |
封装形式 | TO-220 | 封装材料 | - |
截止频率fT | -(MHz) | 集电极允许电流ICM | -(A) |
集电极耗散功率PCM | -(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | 热销 |
品牌/商标 其他 型号/规格 AP1506-12K5L-13 AP1506 AP1506-12K 三极管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 -(mA) 耗散功率 -(mW) AP1506-12K5L-13 AP1506 AP1506-12K 三极管
品牌/商标 其他 型号/规格 AP1501-12K5L-13 AP1501 AP1501-12K 三极管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 -(mA) 耗散功率 -(mW) AP1501-12K5L-13 AP1501 AP1501-12K 三极管