品牌/商标 | NEC | 型号/规格 | K1282,2SK1282 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 开启电压 | /(V) |
夹断电压 | /(V) | 跨导 | /(μS) |
极间电容 | /(pF) | 低频噪声系数 | /(dB) |
漏极电流 | /(mA) | 耗散功率 | /(mW) |
品牌/商标 ROHM 型号/规格 B1018-Y,2SB1018-Y 应用范围 功率 材料 / 极性 PNP型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 7(A) 集电极耗散功率PCM 30(W) 截止频率fT /(MHz) 封装形式 TO-220F 封装材料 塑料封装
品牌/商标 PHILIPS 型号/规格 PHW80NQ10T 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 开启电压 /(V) 夹断电压 /(V) 跨导 /(μS) 极间电容 /(pF) 低频噪声系数 /(dB) 漏极电流 /(mA) 耗散功率 /(mW)