东芝MOS管2SK3265 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA东芝 | |
| 型号/规格： | 2SK3265 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 超高频 |
| 产品类型 | 开关管 | 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 |
| 型号/规格 | 2SK3265 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 红色 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 圆灯 |
| 发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | 00（A） |
- 所属城市：上海 上海市
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东芝 2SK3568 全新原装 优势现货库存
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK3568 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CHIP/小型片状 材料 SENSEFET电流敏感 开启电压 00（V） 夹断电压 00（V） 极间电容 00（pF） 低频噪声系数 00（dB） 漏极电流 00（mA） 耗散功率 00（mW） 部件型号2SK3568 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID12 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)42 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.52 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 马来西亚
东芝 MOSFET SSM3J15FS 原装
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 SSM3J15FS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 部件型号SSM3J15FS 极性P沟 漏源电压VDSS-30 V 漏极电流ID-100 mA 门阈值电压Vth, max-1.7 V 门阈值电压Vth, min-1.1 V 门-源电压VGSS(V)±20 V 漏源导通电阻RDS(ON)(标准)14 ΩVGS=-2.5 V漏源导通电阻RDS(ON)()32 ΩVGS=-2.5 V封装SSM(1.6 x 1.6) 管脚数3 表面安装型Y 产品分类小信号MOSFET 装配基础日本, 泰国
