场效应管2SK1460
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | SANYO | |
| 型号： | 2SK1460 |
| 品牌/商标 | SANYO | 型号/规格 | 2SK1460 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| 2SK1119 | 东芝 |
| 2SK1404 | 日立 |
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- 所属城市：广东 汕头
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场效应管2SK1495
信息内容：品牌/商标 NIP 型号/规格 2SK1495 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
场效应管2SK1501
信息内容：品牌/商标 NIP 型号/规格 2SK1501 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管dzsc/18/7266/18726616.jpgLT1070LTMBR20100摩托罗拉MBR20200摩托罗拉MBR2545IRMIP0221SY松下MIP0222SY松下MIP0223SY松下MIP0224SY松下MIP0225SY松下MIP0226SY松下MIP0227SY松下MIP160松下MIP1...
