AP 75N07GP 场效应MOS管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | AP | |
| 型号： | AP75N07GP |
| 品牌/商标 | AP | 型号/规格 | AP75N07GP |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | 电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 75（V） | 夹断电压 | 1.5（V） |
| 低频跨导 | 22（μS） | 极间电容 | 2（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 800（mA） |
| 耗散功率 | 3000（mW） |
新版AP75N07 台湾富鼎品牌，全新，导通电阻为8-9毫欧.,电压测试可达85V左右,60V的控制器直接可以一次性通过,稳定性极强.
可应用于电动自行车控制器，驱动电流供电机使用，产品性能稳定，价格合理，可替代STP75NF75和IRF1010E，现货供应，交货及时……
AP75N07GP完全PIN TO PIN ST75NF75,
PS:AP75N07的封装测试为韩国乌首厂,即ST韩国的封装厂.
最重要的是富鼎承诺,价格一旦制定,原则上不会调整(基本上官价肯定比ST便宜.具体具体谈),即使是大缺货时也能保持您价格的平稳和供货的交期
欢迎广大客户前来咨询!
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CET CEP75N06 场效应管MOS管
信息内容：品牌/商标 CET台湾华瑞 型号/规格 CEP75N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 LMP-C/阻抗变换 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 60（V） 夹断电压 X（V） 低频跨导 X（μS） 极间电容 X（pF） 低频噪声系数 X（dB） 漏极电流 75（mA） 耗散功率 X（mW） 型号： CEP75N06 电压：60V 电流：75A 封装：TO-220 /TO-263 N沟道 保证原装,及时供货,欢迎广大客户前来咨询! 我司是AP(台湾富鼎先进)、CET(台湾华瑞电子)、，KEC的一级代理商。主...
CET CEP3205 场效应MOS管
信息内容：品牌/商标 CET 型号/规格 CEP3205 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 55（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
