FDD6606 to-252原装环保
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | Fairchild仙童 | |
| 型号： | FDD6606 |
| 品牌/商标 | Fairchild仙童 | 型号/规格 | FDD6606 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
供应FDD6606 to-252原装环保
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 张丹艺
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特价供应TPCA8019-H
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 TPCA8019-H 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 原装现货，价格优势！！！ 以上型号是我司畅销产品，其产品详细规格/参数均以产品原品牌生产家资料为准，若有需求以及详情况请联系我们 电话：0755-82811783 移动电话：13480197522 联系人：张小姐 email:rydz888@163.com QQ : 4...
IRF8010SPBF
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF8010SPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
