SPI12N50C3英飞凌 三极管 功率管 开关电源 集成电路 原装
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | SPI12N50C3 |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | SPI12N50C3 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IRG4PH50U电源开关,电源管,场效应管,MOS管 IGBT IR美国国际整流
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRG4PH50U 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体 开启电压 600（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 27（mA） 耗散功率 200（mW）
IPB50R199CP英飞凌 三极管 功率管 开关电源 集成电路 原装
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 IPB50R199CP 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 1（V） 夹断电压 11（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） IPB50R199CP英飞凌 三极管 功率管 开关电源 集成电路 原装 TO-263 07年 以当天报价为准
