让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>R1200F-R5000F、超快速二极管、高压二极管、元器件,半导体配件

R1200F-R5000F、超快速二极管、高压二极管、元器件,半导体配件

价 格: 面议
品牌/商标:JBI
型号/规格:R1200F-R5000F
封装形式:直插型
功率特性:其他
频率特性:其他

产品类型 整流桥、高压硅 品牌/商标 JBI
型号/规格 R1200F-R5000F 结构 平面型
材料 硅(Si) 封装形式 直插型
封装材料 塑料封装 功率特性 其他
频率特性 其他 发光颜色 其他
LED封装 其他 出光面特征 其他
发光强度角分布 其他 反向电压VR 5000(V)
正向直流电流IF 500(mA)

高压二极管

电压1200v--5000v,电流分别为0.5安培和0.2安培。

R1200F--R3000F封装为DO-41,

R4000F--R5000F封装为DO-15。

 

济南百事达科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:山东 济南
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王震
  • 电话:531-58661431
  • 传真:531-58661431
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

IN5817--IN5819、肖特基、二极管、快恢复、触发管、整流桥、开关

信息内容:

产品类型 肖特基管 品牌/商标 国产 型号/规格 IN5817 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 反向电压VR 40(V) 正向直流电流IF 1(mA) 该为肖特基二极管IN5817反向特性为VR(V)=20,IR(mA)@VR=1.0;正向特性:IFM(A)=1,VFM(V)@IFM=0.45IN5818反向特性为VR(V)=30,IR(mA)@VR=1.0;正向特性:IFM(A)=1,VFM(V)@IFM=0.55IN5819反向特性为VR(V)=40,IR(mA)@VR=1.0;正向特性:IFM(A)=1,VFM(V)@IFM=0.60封装形式为:DO-41。

详细内容>>

HER101--HER108、高效率二极管、元器件、半导体、整流二极管

信息内容:

产品类型 整流管 品牌/商标 JBI 型号/规格 HER101-HER108 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 功率特性 其他 频率特性 其他 发光颜色 其他 LED封装 其他 出光面特征 其他 发光强度角分布 其他 反向电压VR 1000(V) 正向直流电流IF 1000(mA)

详细内容>>

相关产品