场效应IGBT.G15N60RUFD
| 价 格： | 8.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD | |
| 型号： | G15N60RUFD |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | G15N60RUFD |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | 广泛 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 夹断电压 | 600（V） |
迅丰电子供应场效应IGBT.远新原装.SGH15N60RUFD .如有需要欢迎来电洽谈特色标志 优惠 品牌 FAIRCHILD 型号 SGH15N60RUFD 封装 TO-3P 极限电压 600（V） 极限电流 15（A） 用途 电磁炉 沟道类型 N沟道
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快恢复二极管HFA25TB60
信息内容：特色标志 现货 品牌/商标 IR 型号/规格 HFA25TB60 类别 直插 封装形式 TO-247 结构 点接触型 材料 硅 封装材料 金属封装 电流容量 大功率 整流电流 25（A） 反向电压 600（V） 产品类型 快恢复二极管 迅丰电子供应快恢复二极管.全新原装. 欢迎来电洽谈特色标志现货品牌IR型号HFA25TB60类别直插封装形式TO-247结构点接触型材料硅封装材料金属封装电流容量大功率整流电流8（A）反向电压600（V
快恢复二极管8ETH06
信息内容：特色标志 现货 品牌/商标 IR 型号/规格 8ETH06 类别 直插 封装形式 TO-220 结构 点接触型 材料 硅 封装材料 金属封装 电流容量 中功率 整流电流 8（A） 反向电压 600（V） 产品类型 快恢复二极管
