价 格: | 1200.00 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | 电容400V/100UF | |
标称容量范围: | 100UF(uF) | |
额定电压范围: | 500(V) | |
温度系数范围: | 0.1 |
品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 电容400V/100UF |
介质材料 | 铝电解 | 应用范围 | 滤波 |
外形 | 圆柱形 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 调节方式 | 固定 |
引线类型 | 同向引出线 | 允许偏差 | ±20(%) |
耐压值 | 500(V) | 等效串联电阻(ESR) | 10(mΩ) |
标称容量 | 100UF(uF) | 损耗 | 0.02 |
额定电压 | 500(V) | 绝缘电阻 | 0.2(mΩ) |
温度系数 | 0.1 |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP150MPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 200(V) 跨导 1(μS) 极间电容 0.1(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 2000(mA) 耗散功率 0.2(mW)
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP75NF75 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 100(V) 低频跨导 100(μS) 极间电容 5(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 75000(mA) 耗散功率 50(mW)