场效应管IRF820
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌： | IR 仙童 三星 | |
| 型号： | IRF820 |
| 品牌/商标 | IR 仙童 三星 | 型号/规格 | IRF820 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 低频跨导 | 22（μS） | 极间电容 | 2222（pF） |
| 低频噪声系数 | 222（dB） | 漏极电流 | 3A（mA） |
| 耗散功率 | 50W（mW） |
IRF820 2.5A 500V 3Ω 50W
- 所属城市：广东 汕头
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14A 600V场效应管K3686
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K3686 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 2635（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 18（dB） 漏极电流 14（mA） K3686:14A 600V
20A 60V场效应管2SJ504
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SJ504 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2223（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 20（mA）
