FGA15N120ANTDTU电磁炉用IGBT
| 价 格： | 8.60 | |
| 品牌： | FAIRCHILD | |
| 型号： | FGA15N120ANTDTU |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FGA15N120ANTDTU |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
| 开启电压 | 1200（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 低频跨导 | 15（μS） | 极间电容 | 15（pF） |
| 低频噪声系数 | 15（dB） | 漏极电流 | 15（mA） |
| 耗散功率 | 15（mW） |
FGA15N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU TO-3P FAIRCHILD仙童全新原装无铅IGBT ，长备现货，可长期供货
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FCA76N60仙童全新原装
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FCA76N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 76（V） 夹断电压 76（V） 跨导 76（μS） 极间电容 76（pF） 低频噪声系数 76（dB） 漏极电流 76（mA） 耗散功率 60（mW）
FGH40N65UFDTU仙童原装IGBT
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FGH40N65UFDTU 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 40（V） 夹断电压 40（V） 低频跨导 40（μS） 极间电容 40（pF） 低频噪声系数 40（dB） 漏极电流 600（mA） 耗散功率 600（mW）
