专营BBY56-02W 极好的线性高Q超突变调谐二极管低串联电感
| 价 格： | 面议 |
| 产品类型 | 调制二极管 | 品牌/商标 | Infineon英飞凌 |
| 型号/规格 | BBY56-02W | 结构 | 平面型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | SOD523 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 无色透明(T) | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 10（V） |
| 正向直流电流IF | 20（A） |
封装：SOD523
丝印：66
硅调谐二极管
•良好的线性
•低串联电阻
•设计用于低电压运行调整
移动通信的压控振荡器的设备
•非常低电容蔓延
- 所属城市：广东 深圳
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MOS场效应管 AT8515IJS-T1
信息内容：品牌/商标 AAT 型号/规格 AAT8515IJS-T1 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 应用•电池组•电池供电的便携式设备•蜂窝电话和无绳电话特点•漏源电压（）：-20V的•连续漏电流1（）：-5.4A@25℃•低导通电阻：-35mΩ@的VGS= -4.5V的-60mΩ@的VGS=2.5V的
场效应管 ZXM61P02FTA
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 ZXM61P02FTA 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 UNI/一般用途 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 -20（V） 夹断电压 +-20（V） 跨导 *（μS） 极间电容 *（pF） 低频噪声系数 *（dB） 漏极电流 -0.9（mA） 耗散功率 806（mW） 20V的P沟道增强型场效应管特点:1...低导通电阻2...开关速度快3...门槛低4...低栅极驱动DC - DC转换器产品应用：电源管理功能断开功能电机控制
