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特价热销30EPH06PBF MOS 场效应管

价 格: 面议
品牌:IR 国际整流半导体
型号:30EPH06PBF

品牌/商标 IR 国际整流半导体 型号/规格 30EPH06PBF
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频)
封装外形 CHIP/小型片状 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA)
耗散功率 1(mW)

IR 原装

飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌意法半导体,FUJI仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。

产品种类:整流器
 

 

RoHS:dzsc/18/7222/18722261.gif 详细信息
产品:Fast Recovery Rectifier
 

 

配置:Single
反向电压:600 V
 

 

正向电压下降:2.6 V
恢复时间:35 ns
 

 

正向连续电流:30 A
浪涌电流:300 A
 

 

反向电流 IR:50 uA
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-247
封装:Tube

深圳市飞捷士科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 杨宝林
  • 电话:755-88250321
  • 传真:755-88250321
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信息内容:

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仙童 MOS IGBT 场效应管

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品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 TS203 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)

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